Мультивибратор на полевых транзисторах схема

Автор: | 12.03.2024

Этот мультивибратор на полевых транзисторах, выгодно отличается от схем на биполярных полупроводниках тем, что выдерживает ток нагрузки до 10 Ампер, без необходимости дополнительного усиления выходного тока, и может без проблем работать на сверхнизких частотах при сравнительно небольших ёмкостях времязадающих конденсаторов. При указанных номиналах деталей, частота мультивибратора равняется примерно 1 Гц, но устройство с успехом можно использовать и для генерации частот звукового диапазона, если лампы накаливания заменить динамиками и уменьшить емкость C1 и C2 в десятки раз, а изменением сопротивления резисторов R1, R2 можно плавно регулировать частоту работы.

multiv mos Домострой

Схема мультивибратора содержит всего два полевых транзистора с n-каналом, которые можно заменить любыми такой же проводимости, но обязательно с изолированным затвором и подходящей мощностью, которая зависит от применяемой нагрузки. Конденсаторы устанавливаются с минимальным граничным напряжением не менее 16 вольт, R1, R2 можно заменить спаренным переменным резистором, для удобства подстройки частоты генератора. Максимальное сопротивление резисторов может достигать десятки МОм, обеспечивая этим широкий диапазон регулировки. Стабилитроны установлены в устройство для предотвращения пробоя полевых транзисторов, меняются на любые маломощные, напряжение стабилизации которых равняется 8-10 вольт.

Построенный по этой схеме мультивибратор, работает на две нагрузки, если Вам нужно коммутировать только одну, то вместо EL1 можно установить постоянный резистор сопротивлением 100-500 Ом, что позволит генератору работать в одноканальном режиме, область применения конструкции на полевых транзисторах довольно широка, от создания световых эффектов до устройств звуковой сигнализации. Применение мощных полупроводников обеспечивает надёжную работу с большой нагрузкой, при условии установки VT1 и VT2 на хороший радиатор охлаждения. Удачи !

Читайте также  Мягкий ковер для детей на пол

Этот мультивибратор на полевых транзисторах, выгодно отличается от схем на биполярных полупроводниках тем, что выдерживает ток нагрузки до 10 Ампер, без необходимости дополнительного усиления выходного тока, и может без проблем работать на сверхнизких частотах при сравнительно небольших ёмкостях времязадающих конденсаторов. При указанных номиналах деталей, частота мультивибратора равняется примерно 1 Гц, но устройство с успехом можно использовать и для генерации частот звукового диапазона, если лампы накаливания заменить динамиками и уменьшить емкость C1 и C2 в десятки раз, а изменением сопротивления резисторов R1, R2 можно плавно регулировать частоту работы.

multiv mos Домострой

Схема мультивибратора содержит всего два полевых транзистора с n-каналом, которые можно заменить любыми такой же проводимости, но обязательно с изолированным затвором и подходящей мощностью, которая зависит от применяемой нагрузки. Конденсаторы устанавливаются с минимальным граничным напряжением не менее 16 вольт, R1, R2 можно заменить спаренным переменным резистором, для удобства подстройки частоты генератора. Максимальное сопротивление резисторов может достигать десятки МОм, обеспечивая этим широкий диапазон регулировки. Стабилитроны установлены в устройство для предотвращения пробоя полевых транзисторов, меняются на любые маломощные, напряжение стабилизации которых равняется 8-10 вольт.

Построенный по этой схеме мультивибратор, работает на две нагрузки, если Вам нужно коммутировать только одну, то вместо EL1 можно установить постоянный резистор сопротивлением 100-500 Ом, что позволит генератору работать в одноканальном режиме, область применения конструкции на полевых транзисторах довольно широка, от создания световых эффектов до устройств звуковой сигнализации. Применение мощных полупроводников обеспечивает надёжную работу с большой нагрузкой, при условии установки VT1 и VT2 на хороший радиатор охлаждения. Удачи !

В данной пояснительной записке представлены описание схемы и временных диаграмм, расчетные методики мультивибратора на полевых транзисторах. В соответствии с заданием рассчитаны необходимые параметры схемы.

In the given explanatory note the description of the circuit and time diagrams, settlement techniques of the multivibrator on field transistors are submitted. According to the task necessary parameters of the circuit are designed.

Рассчитать схему мультивибратора на полевых транзисторах. Исходные данные:

период следования импульсов Т: 200 мкс

длительность 7723077 Домострой: 10 мкс

длительность среза 7723078 Домострой: 1 мкс

амплитуда импульсов Uвых. u : -10 В

1.Описание схемы устройства фантастронного генератора пилообразного напряжения

2.Расчет фантастронного генератора пилообразного напряжения

2.2.Выбор обоснование элементной базы

Электронная вычислительная техника – сравнительно молодое научно-техническое направление, но она оказывает самое революционизирующее воздействие на все области науки и техники, на все стороны жизни общества. Характерно постоянное развитие элементной базы ЭВМ. Элементная база развивается очень быстро; появляются новые типы логических схем, модифицируются существующие. Существует множество различных электронных устройств: логические элементы, регистры, сумматоры, дешифраторы, мультиплексоры, счетчики, делители частоты, триггеры, генераторы и др.

Генераторы преобразуют энергию источника питания в энергию периодических или квазипериодических электрических колебаний. Основное назначение генераторов в электронике – это формирование импульсов начальной установки и синхронизации, управляющих сигналов различной формы и длительности.

Все многообразие генераторов можно подразделить на следующие типы:

— генераторы прямоугольных импульсов;

— генераторы линейно-изменяющегося напряжения (ЛИН);

— генераторы ступенчато-изменяющегося напряжения;

— генераторы синусоидальных колебаний

Типичные формы прямоугольных колебаний показаны на рис.1

7723079 Домострой

Генераторы прямоугольных импульсов, имеющие в петле обратной связи элементы, накапливающие энергию, называются мультивибраторами.

Мультивибраторы подразделяются на две группы:

— ждущие мультивибраторы или одновибраторы.

Основное различие между этими мультивибраторами заключается в том, что автоколебательные мультивибраторы формируют импульсную последовательность при подаче напряжения питания на схему, так как они имеют две цепи обратной связи с накопителями энергии, а ждущие мультивибраторы формируют одиночный импульс с заданными параметрами по внешнему запуску, так как одна петля обратной связи не имеет накопителя энергии. Одновибратор – что-то среднее между мультивибратором и триггером [1].

Различают мягкий и жесткий режимы возбуждения мультивибраторов. При мягком режиме любые изменения напряжения в цепи обратной связи в момент включения питания приводят к возникновению режима генераций; при жестком режиме генерация возникает, когда напряжение в цепи обратной связи достигает определенного порога.

Мультивибраторы подразделяются на перезапускаемые и неперезапускаемые. В первом случае при подаче импульса запуска генерация выходных сигналов начинается заново с исходного состояния. Перезапуски позволяют неограниченно увеличивать длительность выходного импульса независимо от параметров схемы мультивибратора. Неперезапускаемые мультивибраторы не реагируют на внешние импульсы запуска

1. Описание схемы мультивибратора на полевых транзисторах

Высокое входное сопротивление полевых транзисторов (ПТ) позволяет конструировать мультивибраторы на очень низкие частоты повторения импульсов при малых ёмкостях времязадающих конденсаторов. Благодаря этому форма выходных импульсов оказывается менее искажённой, а скважность больше, чем у мультивибраторов на биполярных транзисторах.

Для автоколебательных мультивибраторов наиболее подходят ПТ с управляющим p-n переходом, так как во время заряда конденсаторов напряжение на участке затвор-исток приложено в прямом направлении и поэтому сопротивление этого участка мало и малым становится время заряда конденсаторов.

Схема мультивибраторов из ПТ с управляющим p-n переходом и каналом p-типа изображена на рис.2. В этом мультивибраторе через резисторы 7723080 Домостройподаётся небольшое отрицательное напряжение на затвор относительно истока, что повышает стабильность периода колебаний и длительность выходных импульсов В отличие от мультивибратора на БП транзисторах работа устройства не нарушается, если резисторы 7723080 Домостройвключить между затвором и общей точкой (схема с «нулевым» затвором).

7723081 Домострой

Временные диаграммы работы несимметричного мультивибратора показаны рис.3. В основных чертах принцип действия этого мультивибратора такой же, как и у лампового. От мультивибратора на БТ его отличает то, что во временно устойчивых состояниях равновесия разряд конденсаторов происходит практически только через резисторы 7723080 Домостройи не до нулевого напряжения, а до значения, при котором напряжение на затворе становится равным напряжению отсечки 7723082 Домострой(обычно 7723082 Домострой7723083 Домострой1-6 В)

7723084 Домострой

2.1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ

I. Выбор транзистора. Для обеспечения временно устойчивых состояний равновесия необходимо выбирать транзисторы, у которых

7723085 Домострой

где 7723086 Домострой— максимально допустимое напряжение сток-исток,

7723087 Домострой— напряжение отсечки.

По справочнику выбираем ПТ КП103Л, имеющий следующие параметры:

При напряжениях 7723088 Домострой=10 В и 7723089 Домострой=0 ток стока 7723090 Домострой=3 — 6,6 мА, крутизна характеристики S=1.8 – 3.8 мА/В; ток затвора 7723091 Домострой20 нА, входная ёмкость 7723092 ДомостройпФ, проходная ёмкость 7723093 ДомостройпФ и рассеиваемая на коллекторе мощность P = 120 мВт. Рассчитаем средние значения напряжения отсечки и входного сопротивления.

7723094 Домострой

Для расчёта принимаем 7723095 Домострой3,4В. Это значение удовлетворительно согласуется с усреднёнными выходными характеристиками КП103Л (рис.4).

7723096 Домострой

7723097 Домострой

Среднее значение входного сопротивления

7723098 Домострой

II.Выбор сопротивления резистора7723099 Домострой. Выбираем сопротивление резисторов 7723099 Домостройиз условия получения амплитуды импульса равной Uвых. u : -10 В

7723100 Домострой

7723101 Домострой(2,7кОм)

III.Вычисление ёмкости большего из конденсаторов 7723102 Домострой(рис.2). Она должна быть такой, чтобы за время длительности выходного импульса 7723077 Домострой=10 мкс он успевал зарядиться. Поэтому 7723103 Домостройили 7723104 Домострой(1200пФ)

IV.Сопротивление резисторов 7723105 Домострой

7723106 Домострой(39 кОм)

Полученное значение сопротивлений резисторов 7723105 Домостройудовлетворяет двум условиям: оно значительно меньше входного сопротивления транзистора (7723107 Домострой=500 МОм) и значительно больше сопротивления открытого p-n перехода. Первое условие важно с точки зрения влияния входного сопротивления транзистора на период следования импульсов, а второе – для обеспечения на затворе (относительно истока) напряжения открытого транзистора, близкого к нулю.

V.Ёмкость конденсатора 7723108 Домострой

7723109 Домострой(120пФ)

VI.Длительность среза импульса

7723110 Домострой

VII.Длительность фронта импульса

7723111 Домострой, где 7723112 Домострой

7723113 Домострой
при этих значениях 7723114 Домостройформа импульсов будет хорошей.
2.2. Выбор и обоснование элементной базы

На основании приведенного выше расчета выбираем элементы (для схемы электрической принципиальной данной в пункте 1):

1) В качестве транзисторов Т1 и Т2 был взят полевой транзистор КП103Л, со следующими характеристиками:

7723088 Домострой=10 В;

7723095 Домострой3,4В;

— Ток затвора 7723091 Домострой20 нА;

— Входная ёмкость7723092 ДомостройпФ ,проходная ёмкость 7723093 ДомостройпФ ;

— Максимально допустима рассеивающая мощность коллектора:120 мВт.

2) В соответствии с рассчитанной емкостью С1 и С2 , подбираем следующие конденсаторы соответственно: М47 Uном =10 В; С=120 пФ ±5% и П33 Uном =10 В; С=1200 пФ ±10% — удовлетворяющие нашим требованиям и расчетам.

В соответствии с рассчитанными номиналами резисторов в пункте 2.1., имеем:

7723105 Домострой= 39 кОм: МЛТ-0,125-39кОм±2%;

7723099 Домострой=2,7 кОм С5-36,47-2700 Ом±2%;

В ходе выполнения данной курсовой работы была рассчитана схема мультивибратора на полевых транзисторах с заданными характеристиками:

период следования импульсов Т: 200 мкс

длительность 7723077 Домострой: 10 мкс

длительность среза 7723078 Домострой: 1 мкс

амплитуда импульсов Uвых. u : -10 В

Были рассчитаны и проверены параметры данной схемы.

1. Бочаров Л. Н. Расчет электронных устройств на транзисторах, М. 1978.

2. Четвертаков И.И. Резисторы (справочник), М.: Энергоиздат, 1981.

3. Аксенов А. И., Нефедов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы (справочное пособие), М.: Солон-Р, 2000.

4. Аксенов А. И., Нефедов А. В. Резисторы, конденсаторы, провода, припои, флюсы (справочное пособие), М.: Солон-Р, 2000.

Название: Расчет схемы мультивибратора на полевых транзисторах
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи
Тип: дипломная работа Добавлен 12:22:19 15 апреля 2009 Похожие работы
Просмотров: 2190 Комментариев: 13 Оценило: 2 человек Средний балл: 5 Оценка: неизвестно Скачать

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *